Laser nach Formfaktor und Datenrate
Welcher Laser in einem Modul steckt, entscheiden zwei Größen — die Rate je Lane, die der Laser modulieren muss, und die Reichweite, die er abdecken muss — und beide sind mit jeder Formfaktor-Generation gestiegen. Diese Seite ordnet die Laser- und Empfängertechnik jedem Schritt zu, von 1G-GBICs bis zu 800G-OSFPs.
Die Faustregel
| Reichweite | Faser | Laser | Empfänger |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | Multimode | VCSEL 850 nm, direkte Modulation | PIN |
| 500 m – 2 km | Singlemode | DFB (DML) oder SiPh 1310 nm | PIN |
| 10 km | Singlemode | DFB (DML) bis 10–25G; EML bei 50–100G je Lane | PIN |
| 40 km | Singlemode | EML 1550 oder LAN-WDM, gekühlt | PIN oder APD |
| 80 km+ | Singlemode | EML + APD, oder kohärent durchstimmbar | APD/kohärent |
Die Rate treibt in dieselbe Richtung: Bis 10G genügt ein direkt modulierter Laser; bei 25G wird DML grenzwertig, und EML/VCSEL-25G übernehmen; ab 50G PAM4 je Lane dominieren EML- oder Silizium-Photonik-Modulatoren; bei 100G+ je Lane stoßen VCSEL an ihre Grenze.
Generation für Generation
1G — GBIC und SFP (1990er-Jahre → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | 850 nm VCSEL | GaAs-PIN |
| 1000BASE-LX | 1310 nm FP (später DFB) | InGaAs-PIN |
| 1000BASE-EX/ZX | 1310/1550 nm DFB | PIN; APD bei 80–120 km ZX |
| CWDM-SFP | ungekühlter DFB auf dem 20-nm-Raster | PIN, APD ab 80 km |
Das Multimode-Spektrum des FP-Lasers war bei 1,25 Gbit/s akzeptabel; VCSEL machten 1G-Multimode-Optik fast kostenlos. Siehe GBIC, SFP.
10G — XFP, SFP+ (2002 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | 850 nm 10G-VCSEL | PIN |
| 10GBASE-LRM | 1310 nm FP/DFB + host-seitiger EDC | PIN |
| 10GBASE-LR | 1310 nm DFB, direkte Modulation | PIN |
| 10GBASE-ER | 1550 nm EML, gekühlt | PIN/APD |
| 10GBASE-ZR/80 km | 1550 nm EML, gekühlt | APD |
| DWDM 10G, durchstimmbar | gekühlter DFB oder durchstimmbar (DBR/ITLA) + EML | APD |
Bei 10G wurden EML und APD für alles jenseits von 10 km zum Standard, und hier wich der modulinterne CDR des XFP dem hostseitigen Design des SFP+ (XFP, SFP+).
25G — SFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | 850 nm 25G-VCSEL | PIN |
| 25GBASE-LR | 1310 nm 25G-DFB (DML) oder EML | PIN |
| 25GBASE-ER | 1310 nm EML | APD |
Mit 25G kommt RS-FEC, wodurch günstigere Laser die Spezifikation am Pre-FEC-BER-Punkt erfüllen können.
40G — QSFP+ (2010 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | 4 × 10G-VCSEL-Array, Chip-on-Board | 4 × PIN-Array |
| 40GBASE-LR4 | 4 × DFB auf CWDM 1271–1331 nm, ungekühlt | 4 × PIN + Demux |
| 40G-PSM4 | 4 × 1310 nm DFB | 4 × PIN |
Die erste massenmarkttaugliche parallele Optik; VCSEL-Arrays auf einer Platine mit Linsenarray und MPO-Ferrule setzten das Muster für jede SR4/SR8 seither (QSFP+, Chip-on-Board).
100G — QSFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | 4 × 25G-VCSEL (COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4/CLR4 | 4 × 25G-DFB (DML), ungekühltes CWDM | 4 × PIN + Demux |
| 100G-PSM4 | 4 × 25G-DFB oder SiPh-MZM aus einem CW-Laser | 4 × PIN (Ge auf SiPh) |
| 100GBASE-LR4/ER4 | 4 × 25G EML auf LAN-WDM, gekühlt | PIN/APD |
| 100GBASE-DR/FR/LR | 1 × 100G-PAM4-EML oder SiPh | PIN, linearer TIA + DSP |
| 100G DWDM/ZR-Klasse | durchstimmbar + EML oder kohärent | APD/kohärent |
100G ist die Generation, in der Silizium-Photonik in die Serienfertigung einzog (PSM4, DR) und in der die Trennung zwischen ungekühltem DFB (CWDM4, 2 km) und gekühltem EML (LR4, 10 km) die Preisstaffelung festlegte (QSFP28).
200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4/SR8 | 50G-PAM4-VCSEL-Arrays (COB) | PIN-Arrays + DSP |
| 400GBASE-DR4 | 4 × 100G PAM4 EML oder SiPh-MZM, 1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4/LR4 | 4 × 100G-EML auf CWDM, gekühlt | PIN |
| 400GBASE-FR8/LR8 | 8 × 50G-EML auf LAN-WDM | PIN |
| 400ZR/ZR+ | durchstimmbarer nano-ITLA + kohärenter SiPh-Modulator | kohärenter Empfänger |
PAM4 macht den DSP zum Bestandteil jedes Moduls und treibt Laser auf 100G je Lane — Terrain für EML und SiPh (QSFP-DD, OSFP).
800G und 1,6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 800G SR8 | 100G-PAM4-VCSEL (die VCSEL-Obergrenze) | PIN + DSP |
| 800G DR8/2×DR4 | 8 × 100G-EML oder SiPh | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | 8 × 100G-EML auf CWDM | PIN |
| 1,6T DR8 (200G/Lane) | 200G-PAM4-EML, SiPh, Dünnschicht-Lithiumniobat-Modulatoren | PIN + DSP |
| LPO-Varianten | gleiche Laser, kein Modul-DSP — der Host entzerrt | nur linearer TIA |
Übergreifende Trends
- Von direkter zu externer Modulation — DML bis ≤ 25G, darüber EML/MZM.
- Von einem Laser je Lane zu einem Laser je Modul — SiPh teilt eine CW-Quelle auf die Lanes auf.
- Von hermetischen TO-Cans zu nackten Dies — Chip-on-Board für parallele Optik, SiPh-Integration für Singlemode.
- Die VCSEL-Reichweite schrumpft mit steigender Rate — 550 m bei 1G, 100 m bei 25G, 50–100 m bei 100G; Singlemode-DR übernimmt inzwischen sogar kurze Rechenzentrumsstrecken.
- Kohärente Technik wandert in Pluggables — der Transport-Empfänger passt inzwischen in ein QSFP-DD.
- Leistung ist die neue Grenze — gekühlte EMLs, DSPs und ITLAs treiben 400G/800G-Module auf 15–20 W, was LPO und Co-Packaged Optics vorantreibt.
Warum das für Codierung und Diagnose wichtig ist
Die Identitäts-Bytes, die ein Switch liest — Wellenlänge, Reichweite, Compliance-Code — stehen stellvertretend für den Laser darin. Ein VCSEL-SR4-Modul als LR4 zu codieren, ändert nichts an seinen 850-nm-Lasern; der Host erwartet dann eine Singlemode-Reichweite, die es nicht liefern kann. Und die DDM-Signatur unterscheidet sich je Lasertyp — der Bias eines VCSEL von wenigen mA gegenüber den zig mA plus TEC eines EML —, sodass ein Bias-Wert, der für den einen „normal“ ist, für den anderen ein Alarm ist (Lasertypen, Empfänger).
Die signalverarbeitende Seite derselben Geschichte — von Begrenzerverstärkern über DSPs bis zu LPO und kohärenter Technik — steht in Modulation & DSP; die Gehäuseseite in Optische Gehäusetechnik.