Lasery według formatu obudowy i przepływności
To, jaki laser trafia do modułu, decydują dwie rzeczy — szybkość na linię, którą laser musi modulować, oraz zasięg, jaki musi pokryć — i obie rosły z każdą generacją formatu obudowy. Ta strona zestawia technologie lasera i odbiornika stosowane na każdym etapie, od GBIC 1G po OSFP 800G.
Reguła kciuka
| Zasięg | Światłowód | Laser | Odbiornik |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | wielomodowy | VCSEL 850 nm, modulacja bezpośrednia | PIN |
| 500 m – 2 km | jednomodowy | DFB (DML) lub SiPh 1310 nm | PIN |
| 10 km | jednomodowy | DFB (DML) do 10–25G; EML przy 50–100G na linię | PIN |
| 40 km | jednomodowy | EML 1550 lub LAN-WDM, chłodzony | PIN lub APD |
| 80 km+ | jednomodowy | EML + APD, albo koherentny przestrajalny | APD / koherentny |
Szybkość działa w tym samym kierunku: do 10G laser modulowany bezpośrednio wystarcza; przy 25G DML jest na granicy i przejmują EML/VCSEL-25G; od 50G PAM4 na linię dominują EML albo modulatory fotoniki krzemowej; przy 100G+ na linię VCSEL-e osiągają swój sufit.
Generacja po generacji
1G — GBIC i SFP (lata 1990. → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | VCSEL 850 nm | GaAs PIN |
| 1000BASE-LX | FP 1310 nm (później DFB) | InGaAs PIN |
| 1000BASE-EX / ZX | DFB 1310 / 1550 nm | PIN; APD przy ZX 80–120 km |
| CWDM SFP | niechłodzony DFB na siatce 20 nm | PIN, APD przy 80 km+ |
Wielomodowe widmo lasera FP było akceptowalne przy 1,25 Gb/s; VCSEL-e uczyniły wielomodową optykę 1G niemal bezpłatną. Zobacz GBIC, SFP.
10G — XFP, SFP+ (2002 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | VCSEL 850 nm 10G | PIN |
| 10GBASE-LRM | FP/DFB 1310 nm + EDC hosta | PIN |
| 10GBASE-LR | DFB 1310 nm, modulacja bezpośrednia | PIN |
| 10GBASE-ER | EML 1550 nm, chłodzony | PIN / APD |
| 10GBASE-ZR / 80 km | EML 1550 nm, chłodzony | APD |
| DWDM 10G, przestrajalny | chłodzony DFB albo przestrajalny (DBR/ITLA) + EML | APD |
10G to punkt, w którym EML i APD stały się standardem dla wszystkiego powyżej 10 km, i w którym CDR wewnątrz modułu w XFP ustąpił miejsca konstrukcji po stronie hosta w SFP+ (XFP, SFP+).
25G — SFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | VCSEL 850 nm 25G | PIN |
| 25GBASE-LR | DFB 1310 nm 25G (DML) albo EML | PIN |
| 25GBASE-ER | EML 1310 nm | APD |
Wraz z 25G pojawia się RS-FEC, co pozwala tańszym laserom spełnić specyfikację przy progu BER sprzed FEC.
40G — QSFP+ (2010 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | matryca 4 × VCSEL 10G, chip-on-board | matryca 4 × PIN |
| 40GBASE-LR4 | 4 × DFB na CWDM 1271–1331 nm, niechłodzone | 4 × PIN + demux |
| 40G PSM4 | 4 × DFB 1310 nm | 4 × PIN |
Pierwsza masowa optyka równoległa; matryce VCSEL na płytce z matrycą soczewek i ferulą MPO wyznaczyły wzorzec dla każdego kolejnego SR4/SR8 (QSFP+, Chip-on-board).
100G — QSFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | 4 × VCSEL 25G (COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4 / CLR4 | 4 × DFB 25G (DML), niechłodzony CWDM | 4 × PIN + demux |
| 100G PSM4 | 4 × DFB 25G albo MZM SiPh z jednego lasera CW | 4 × PIN (Ge na SiPh) |
| 100GBASE-LR4 / ER4 | 4 × EML 25G na LAN-WDM, chłodzone | PIN / APD |
| 100GBASE-DR / FR / LR | 1 × EML albo SiPh 100G PAM4 | PIN, liniowy TIA + DSP |
| 100G DWDM / klasa ZR | przestrajalny + EML albo koherentny | APD / koherentny |
100G to generacja, w której fotonika krzemowa weszła do produkcji masowej (PSM4, DR) i w której podział między niechłodzonym DFB (CWDM4, 2 km) a chłodzonym EML (LR4, 10 km) wyznaczył drabinę cenową (QSFP28).
200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4 / SR8 | matryce VCSEL 50G PAM4 (COB) | matryce PIN + DSP |
| 400GBASE-DR4 | 4 × EML 100G PAM4 albo MZM SiPh, 1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4 / LR4 | 4 × EML 100G na CWDM, chłodzone | PIN |
| 400GBASE-FR8 / LR8 | 8 × EML 50G na LAN-WDM | PIN |
| 400ZR / ZR+ | przestrajalny nano-ITLA + koherentny modulator SiPh | odbiornik koherentny |
PAM4 czyni DSP częścią każdego modułu i popycha lasery do 100G na linię — terytorium EML i SiPh (QSFP-DD, OSFP).
800G i 1,6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )
| PMD | Laser | Detektor |
|---|---|---|
| 800G SR8 | VCSEL 100G PAM4 (sufit VCSEL) | PIN + DSP |
| 800G DR8 / 2×DR4 | 8 × EML albo SiPh 100G | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | 8 × EML 100G na CWDM | PIN |
| 1,6T DR8 (200G/linia) | EML 200G PAM4, SiPh, modulatory cienkowarstwowego niobianu litu | PIN + DSP |
| warianty LPO | te same lasery, brak DSP w module — ekwalizację robi host | tylko liniowy TIA |
Trendy przekrojowe
- Od modulacji bezpośredniej do zewnętrznej — DML dla ≤ 25G, EML/MZM powyżej.
- Od jednego lasera na linię do jednego lasera na moduł — SiPh dzieli jedno źródło CW między linie.
- Od hermetycznych obudów TO-can do gołych kryształów — chip-on-board dla optyki równoległej, integracja SiPh dla jednomodu.
- Zasięg VCSEL kurczy się wraz ze wzrostem szybkości — 550 m przy 1G, 100 m przy 25G, 50–100 m przy 100G; jednomodowy DR przejmuje nawet krótkie łącza w centrach danych.
- Koherent wchodzi do modułów wpinanych — odbiornik transportowy mieści się teraz w QSFP-DD.
- Moc to nowe ograniczenie — chłodzone EML, DSP i ITLA pchają moduły 400G/800G do 15–20 W, napędzając LPO i co-packaged optics.
Dlaczego to ważne dla kodowania i diagnostyki
Bajty identyfikacyjne, które odczytuje przełącznik — długość fali, zasięg, kod zgodności — to pośredni opis lasera w środku. Zakodowanie modułu VCSEL SR4 jako LR4 nie zmienia jego laserów 850 nm; host będzie oczekiwał zasięgu jednomodowego, którego moduł nie zapewni. A sygnatura DDM różni się w zależności od typu lasera — kilka mA polaryzacji u VCSEL wobec kilkudziesięciu mA plus TEC u EML — więc wartość prądu polaryzacji „normalna” dla jednego jest alarmem dla drugiego (Typy laserów, Odbiorniki).
Strona przetwarzania sygnału tej samej historii — od wzmacniaczy ograniczających po DSP, LPO i koherent — jest w Modulacja i DSP; strona obudowy — w Obudowy optyczne.