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Laser per fattore di forma e velocità dati

Quale laser si trova dentro un modulo è deciso da due fattori — la velocità per lane che il laser deve modulare e la portata che deve coprire — ed entrambi sono saliti a ogni generazione di fattore di forma. Questa pagina mappa la tecnologia di laser e ricevitore usata a ogni passo, dai GBIC 1G agli OSFP 800G.

La regola pratica

PortataFibraLaserRicevitore
≤ 100–500 mmultimodaleVCSEL 850 nm, modulazione direttaPIN
500 m – 2 kmmonomodaleDFB (DML) o SiPh 1310 nmPIN
10 kmmonomodaleDFB (DML) fino a 10–25G; EML a 50–100G per lanePIN
40 kmmonomodaleEML 1550 o LAN-WDM, raffreddatoPIN o APD
80 km+monomodaleEML + APD, oppure coerente sintonizzabileAPD / coerente

La velocità spinge nella stessa direzione: fino a 10G un laser a modulazione diretta va bene; a 25G il DML è marginale e subentrano EML/VCSEL-25G; da 50G PAM4 per lane, dominano i modulatori EML o in fotonica al silicio; oltre 100G per lane i VCSEL raggiungono il loro limite.

Generazione per generazione

1G — GBIC e SFP (anni 1990 → )

PMDLaserRivelatore
1000BASE-SX850 nm VCSELGaAs PIN
1000BASE-LX1310 nm FP (poi DFB)InGaAs PIN
1000BASE-EX / ZX1310 / 1550 nm DFBPIN; APD su ZX a 80–120 km
CWDM SFPDFB non raffreddato sulla griglia a 20 nmPIN, APD oltre 80 km

Lo spettro multimodale del laser FP era accettabile a 1,25 Gb/s; i VCSEL hanno reso l’ottica multimodale 1G quasi gratuita. Vedi GBIC, SFP.

10G — XFP, SFP+ (2002 → )

PMDLaserRivelatore
10GBASE-SR850 nm 10G VCSELPIN
10GBASE-LRM1310 nm FP/DFB + host EDCPIN
10GBASE-LR1310 nm DFB, modulazione direttaPIN
10GBASE-ER1550 nm EML, raffreddatoPIN / APD
10GBASE-ZR / 80 km1550 nm EML, raffreddatoAPD
DWDM 10G, sintonizzabileDFB raffreddato o sintonizzabile (DBR/ITLA) + EMLAPD

10G è il punto in cui EML e APD sono diventati standard per qualsiasi tratta oltre i 10 km, e in cui il CDR interno al modulo di XFP ha lasciato il posto al design lato host di SFP+ (XFP, SFP+).

25G — SFP28 (2015 → )

PMDLaserRivelatore
25GBASE-SR850 nm 25G VCSELPIN
25GBASE-LR1310 nm 25G DFB (DML) o EMLPIN
25GBASE-ER1310 nm EMLAPD

Con il 25G arriva l’RS-FEC, che permette a laser più economici di rispettare la specifica al punto di BER pre-FEC.

40G — QSFP+ (2010 → )

PMDLaserRivelatore
40GBASE-SR44 × matrice VCSEL 10G, chip-on-board4 × matrice PIN
40GBASE-LR44 × DFB su CWDM 1271–1331 nm, non raffreddato4 × PIN + demux
40G PSM44 × 1310 nm DFB4 × PIN

La prima ottica parallela di massa; le matrici VCSEL su una scheda con una matrice di lenti e una ferula MPO hanno definito lo schema per ogni SR4/SR8 da allora (QSFP+, Chip-on-board).

100G — QSFP28 (2015 → )

PMDLaserRivelatore
100GBASE-SR44 × 25G VCSEL (COB)4 × PIN
100G CWDM4 / CLR44 × 25G DFB (DML), CWDM non raffreddato4 × PIN + demux
100G PSM44 × 25G DFB o MZM SiPh da un unico laser CW4 × PIN (Ge su SiPh)
100GBASE-LR4 / ER44 × 25G EML su LAN-WDM, raffreddatoPIN / APD
100GBASE-DR / FR / LR1 × 100G PAM4 EML o SiPhPIN, TIA lineare + DSP
100G DWDM / classe ZRsintonizzabile + EML o coerenteAPD / coerente

100G è la generazione in cui la fotonica al silicio è entrata in produzione di volume (PSM4, DR) e in cui la separazione tra DFB non raffreddato (CWDM4, 2 km) e EML raffreddato (LR4, 10 km) ha definito la scala dei prezzi (QSFP28).

200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )

PMDLaserRivelatore
200G/400G SR4 / SR8matrici VCSEL PAM4 50G (COB)matrici PIN + DSP
400GBASE-DR44 × 100G PAM4 EML o MZM SiPh, 1310 nmPIN + DSP
400GBASE-FR4 / LR44 × 100G EML su CWDM, raffreddatoPIN
400GBASE-FR8 / LR88 × 50G EML su LAN-WDMPIN
400ZR / ZR+nano-ITLA sintonizzabile + modulatore coerente SiPhricevitore coerente

Il PAM4 rende il DSP parte di ogni modulo e spinge i laser a 100G per lane — territorio di EML e SiPh (QSFP-DD, OSFP).

800G e 1.6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )

PMDLaserRivelatore
800G SR8VCSEL PAM4 100G (il limite del VCSEL)PIN + DSP
800G DR8 / 2×DR48 × 100G EML o SiPhPIN + DSP
800G 2×FR48 × 100G EML su CWDMPIN
1.6T DR8 (200G/lane)modulatori PAM4 200G EML, SiPh, niobato di litio a film sottilePIN + DSP
Varianti LPOstessi laser, nessun DSP nel modulo — equalizza l’hostsolo TIA lineare

Tendenze trasversali

  1. Dalla modulazione diretta a quella esterna — DML per ≤ 25G, EML/MZM oltre.
  2. Da un laser per lane a un laser per modulo — il SiPh suddivide una sorgente CW tra le lane.
  3. Da TO-can ermetici a die nudi — il chip-on-board per l’ottica parallela, l’integrazione SiPh per il monomodale.
  4. La portata del VCSEL si riduce all’aumentare della velocità — 550 m a 1G, 100 m a 25G, 50–100 m a 100G; il DR monomodale sta prendendo il sopravvento anche sui collegamenti corti nei data center.
  5. Il coerente entra nei pluggable — il ricevitore di trasporto ora entra in un QSFP-DD.
  6. La potenza è il nuovo limite — EML, DSP e ITLA raffreddati spingono i moduli 400G/800G a 15–20 W, favorendo LPO e ottica co-packaged.

Perché è importante per la programmazione e la diagnostica

I byte di identità che uno switch legge — lunghezza d’onda, portata, codice di conformità — sono un proxy per il laser all’interno. Programmare un modulo VCSEL SR4 come un LR4 non cambia i suoi laser a 850 nm; l’host si aspetterà una portata monomodale che il modulo non può fornire. E la firma DDM differisce per tipo di laser — il bias di pochi mA di un VCSEL contro le decine di mA più un TEC di un EML — quindi un valore di bias che è «normale» per l’uno è un allarme per l’altro (Tipi di laser, Ricevitori).

Il lato dell’elaborazione del segnale della stessa storia — dagli amplificatori limitatori ai DSP, LPO e coerente — è in Modulazione e DSP; il lato del packaging in Packaging ottico.


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