Laser per fattore di forma e velocità dati
Quale laser si trova dentro un modulo è deciso da due fattori — la velocità per lane che il laser deve modulare e la portata che deve coprire — ed entrambi sono saliti a ogni generazione di fattore di forma. Questa pagina mappa la tecnologia di laser e ricevitore usata a ogni passo, dai GBIC 1G agli OSFP 800G.
La regola pratica
| Portata | Fibra | Laser | Ricevitore |
|---|---|---|---|
| ≤ 100–500 m | multimodale | VCSEL 850 nm, modulazione diretta | PIN |
| 500 m – 2 km | monomodale | DFB (DML) o SiPh 1310 nm | PIN |
| 10 km | monomodale | DFB (DML) fino a 10–25G; EML a 50–100G per lane | PIN |
| 40 km | monomodale | EML 1550 o LAN-WDM, raffreddato | PIN o APD |
| 80 km+ | monomodale | EML + APD, oppure coerente sintonizzabile | APD / coerente |
La velocità spinge nella stessa direzione: fino a 10G un laser a modulazione diretta va bene; a 25G il DML è marginale e subentrano EML/VCSEL-25G; da 50G PAM4 per lane, dominano i modulatori EML o in fotonica al silicio; oltre 100G per lane i VCSEL raggiungono il loro limite.
Generazione per generazione
1G — GBIC e SFP (anni 1990 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 1000BASE-SX | 850 nm VCSEL | GaAs PIN |
| 1000BASE-LX | 1310 nm FP (poi DFB) | InGaAs PIN |
| 1000BASE-EX / ZX | 1310 / 1550 nm DFB | PIN; APD su ZX a 80–120 km |
| CWDM SFP | DFB non raffreddato sulla griglia a 20 nm | PIN, APD oltre 80 km |
Lo spettro multimodale del laser FP era accettabile a 1,25 Gb/s; i VCSEL hanno reso l’ottica multimodale 1G quasi gratuita. Vedi GBIC, SFP.
10G — XFP, SFP+ (2002 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 10GBASE-SR | 850 nm 10G VCSEL | PIN |
| 10GBASE-LRM | 1310 nm FP/DFB + host EDC | PIN |
| 10GBASE-LR | 1310 nm DFB, modulazione diretta | PIN |
| 10GBASE-ER | 1550 nm EML, raffreddato | PIN / APD |
| 10GBASE-ZR / 80 km | 1550 nm EML, raffreddato | APD |
| DWDM 10G, sintonizzabile | DFB raffreddato o sintonizzabile (DBR/ITLA) + EML | APD |
10G è il punto in cui EML e APD sono diventati standard per qualsiasi tratta oltre i 10 km, e in cui il CDR interno al modulo di XFP ha lasciato il posto al design lato host di SFP+ (XFP, SFP+).
25G — SFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 25GBASE-SR | 850 nm 25G VCSEL | PIN |
| 25GBASE-LR | 1310 nm 25G DFB (DML) o EML | PIN |
| 25GBASE-ER | 1310 nm EML | APD |
Con il 25G arriva l’RS-FEC, che permette a laser più economici di rispettare la specifica al punto di BER pre-FEC.
40G — QSFP+ (2010 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 40GBASE-SR4 | 4 × matrice VCSEL 10G, chip-on-board | 4 × matrice PIN |
| 40GBASE-LR4 | 4 × DFB su CWDM 1271–1331 nm, non raffreddato | 4 × PIN + demux |
| 40G PSM4 | 4 × 1310 nm DFB | 4 × PIN |
La prima ottica parallela di massa; le matrici VCSEL su una scheda con una matrice di lenti e una ferula MPO hanno definito lo schema per ogni SR4/SR8 da allora (QSFP+, Chip-on-board).
100G — QSFP28 (2015 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 100GBASE-SR4 | 4 × 25G VCSEL (COB) | 4 × PIN |
| 100G CWDM4 / CLR4 | 4 × 25G DFB (DML), CWDM non raffreddato | 4 × PIN + demux |
| 100G PSM4 | 4 × 25G DFB o MZM SiPh da un unico laser CW | 4 × PIN (Ge su SiPh) |
| 100GBASE-LR4 / ER4 | 4 × 25G EML su LAN-WDM, raffreddato | PIN / APD |
| 100GBASE-DR / FR / LR | 1 × 100G PAM4 EML o SiPh | PIN, TIA lineare + DSP |
| 100G DWDM / classe ZR | sintonizzabile + EML o coerente | APD / coerente |
100G è la generazione in cui la fotonica al silicio è entrata in produzione di volume (PSM4, DR) e in cui la separazione tra DFB non raffreddato (CWDM4, 2 km) e EML raffreddato (LR4, 10 km) ha definito la scala dei prezzi (QSFP28).
200G / 400G — QSFP56, QSFP-DD, OSFP (2019 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 200G/400G SR4 / SR8 | matrici VCSEL PAM4 50G (COB) | matrici PIN + DSP |
| 400GBASE-DR4 | 4 × 100G PAM4 EML o MZM SiPh, 1310 nm | PIN + DSP |
| 400GBASE-FR4 / LR4 | 4 × 100G EML su CWDM, raffreddato | PIN |
| 400GBASE-FR8 / LR8 | 8 × 50G EML su LAN-WDM | PIN |
| 400ZR / ZR+ | nano-ITLA sintonizzabile + modulatore coerente SiPh | ricevitore coerente |
Il PAM4 rende il DSP parte di ogni modulo e spinge i laser a 100G per lane — territorio di EML e SiPh (QSFP-DD, OSFP).
800G e 1.6T — OSFP, QSFP-DD800, OSFP-XD (2022 → )
| PMD | Laser | Rivelatore |
|---|---|---|
| 800G SR8 | VCSEL PAM4 100G (il limite del VCSEL) | PIN + DSP |
| 800G DR8 / 2×DR4 | 8 × 100G EML o SiPh | PIN + DSP |
| 800G 2×FR4 | 8 × 100G EML su CWDM | PIN |
| 1.6T DR8 (200G/lane) | modulatori PAM4 200G EML, SiPh, niobato di litio a film sottile | PIN + DSP |
| Varianti LPO | stessi laser, nessun DSP nel modulo — equalizza l’host | solo TIA lineare |
Tendenze trasversali
- Dalla modulazione diretta a quella esterna — DML per ≤ 25G, EML/MZM oltre.
- Da un laser per lane a un laser per modulo — il SiPh suddivide una sorgente CW tra le lane.
- Da TO-can ermetici a die nudi — il chip-on-board per l’ottica parallela, l’integrazione SiPh per il monomodale.
- La portata del VCSEL si riduce all’aumentare della velocità — 550 m a 1G, 100 m a 25G, 50–100 m a 100G; il DR monomodale sta prendendo il sopravvento anche sui collegamenti corti nei data center.
- Il coerente entra nei pluggable — il ricevitore di trasporto ora entra in un QSFP-DD.
- La potenza è il nuovo limite — EML, DSP e ITLA raffreddati spingono i moduli 400G/800G a 15–20 W, favorendo LPO e ottica co-packaged.
Perché è importante per la programmazione e la diagnostica
I byte di identità che uno switch legge — lunghezza d’onda, portata, codice di conformità — sono un proxy per il laser all’interno. Programmare un modulo VCSEL SR4 come un LR4 non cambia i suoi laser a 850 nm; l’host si aspetterà una portata monomodale che il modulo non può fornire. E la firma DDM differisce per tipo di laser — il bias di pochi mA di un VCSEL contro le decine di mA più un TEC di un EML — quindi un valore di bias che è «normale» per l’uno è un allarme per l’altro (Tipi di laser, Ricevitori).
Il lato dell’elaborazione del segnale della stessa storia — dagli amplificatori limitatori ai DSP, LPO e coerente — è in Modulazione e DSP; il lato del packaging in Packaging ottico.